SEMIKRON整流器SKIIP 23NAB126V1

从 4A 到 1400A，电压等级从 600V 到 1700V，IGBT 模块可用于各种应用。这些模块采用烧结、弹簧或压入式触点等关键技术，组装快捷方便。可用的拓扑结构包括 CIB（转换器逆变制动器）、半桥、H 桥、六组、3 电平等，涵盖了各个应用领域。在这些拓扑结构中，新的 IGBT 芯片与 CAL 二极管技术相结合。新的7 代 IGBT 现已用于赛米控丹佛斯的功率模块中。它们可提供更高的功率密度，尤其是在电机驱动和太阳能应用领域，树立了新的标杆。

快速沟槽式 IGBT

稳健的软续流

采用 CAL 技术的二极管

用于电气连接的高可靠性弹簧触点

电气连接

UL 认证文件编号 E63532

产地：德国

连接方式：电气连接

逆变器功率：高达 16 千伏安

典型电机功率：7.5 千瓦

安装扭矩：2至2.5 Nm

外壳（LL x BB x HH）：MiniSKiiP II 2（59 x 52 x 16）

V_CES：1200 V

I_CRM：25 A

技术：IGBT 3（沟槽）

重量：65 g

符合标准：E63532

电子、电力、通信、光纤行业