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AMPTEK硅漂移探测器FAST SDD

Amptek将硅片制造引入内部,并改进了工艺。其结果是探测器具有更低的噪声、更低的泄漏电流、更好的电荷收集以及探测器之间的均匀性。这使其成为性能更好的硅漂移探测器。FAST SDD代表Amptek高性...

产品介绍

Amptek将硅片制造引入内部,并改进了工艺。其结果是探测器具有更低的噪声、更低的泄漏电流、更好的电荷收集以及探测器之间的均匀性。这使其成为性能更好的硅漂移探测器。

FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移检测器(SDD),能够在保持分辨率的同时,计数率超过1000000 CPS(每秒计数)。FAST SDD还可与C系列(Si3N4)低能窗一起使用,用于软x射线分析。

与传统SDD不同,FAST SDD在密封的TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)和外部前置放大器,在TO-8封装内部使用互补的金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)代替JFET。这降低了电容,提供了更低的串联噪声,并在极短的峰值时间内提高了分辨率。FAST SDD使用相同的检测器,但前置放大器在短峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率能够隔离/分离具有接近能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。峰值时间短也会提高计数率;更多的计数提供更好的统计数据。

性能特点

  • 25 mm2的活动面积校准为17 mm2
  • 也可提供70 mm2准直至50 mm2
  • 9 keV时的122 eV FWHM分辨率
  • 计数率>1000000 CPS
  • 高峰值与背景比–26000/1
  • 前置放大器输出上升时间<35 ns
  • 窗口:Be(5密耳)12.5µm,或C系列(Si3N4)
  • 抗辐射
  • 探测器厚度500µm
  • TO-8包装
  • 冷却ΔT>85 K
  • 多层准直器

技术参数

  • 探测器类型:带CMOS前置放大器的硅漂移检测器(SDD)
  • 探测器尺寸:25 mm2-校准至17 mm2,也可提供70mm2-准直至50mm2
  • 硅厚度:500µm或1000um可用
  • 准直器内部:多层准直器(ML)
  • 4µs峰值时间下5.9 keV(55Fe):122-129 eV FWHM时的能量分辨率(保证)
  • 峰值与背景:20000:1(计数比从5.9 keV到1 keV)(典型)
  • 探测器窗口选项:铍(Be):0.5密耳(12.5µm)或0.3密耳(8µm),C系列(Si3N4)低能耗窗户
  • 电荷敏感型前置放大器:CMOS
  • 增益稳定性:<20 ppm/°C(典型)
  • 总功率:<2瓦
  • 设备寿命:通常为5至10年,具体取决于使用情况
  • 操作条件:-35°C至+80°C
  • 长期储存:在干燥环境中储存10年以上
  • 典型储存和运输:-40°C至+85°C,湿度10至90%,不凝结
  • 产地:美国

-尺寸

  • 探测器模块:TO-8封装(0.640英寸高,包括销,0.600英寸直径)
  • XR100盒:3.00 x 1.75 x 1.13英寸(7.6 x 4.4 x 2.9厘米)
  • X-123箱:3.94 x 2.67 x 1.0英寸(10.0 x 6.78 x 2.54厘米)
  • 原始设备制造商:配置各不相同

-重量

  • 探测器模块:0.14箱(4.1克)
  • XR100盒:4.4盎司(125克)
  • X-123箱:6.3盎司(180克)
  • 原始设备制造商:配置各不相同

产品应用

  • 超快速台式和手持式XRF分析仪
  • 作为EDS系统的一部分,在SEM中扫描/绘制样品
  • 在线过程控制
  • X射线分拣机
  • OEM

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