高压片式电阻器HVC系列结合了专有的细线厚膜技术和设计,实现了SMD片式电阻器的高电压额定值和稳定性的新水平。与传统厚膜芯片电阻器相比,Nicrom的技术具有更长、高纵横比的低电阻率薄膜迹线。
与标准芯片电阻器相比,Nicrom的HVC系列提供了无与伦比的性能和设计效率,从而降低了电压系数和温度系数、降低了噪声、更严格的公差、更高的稳定性、更高电阻值和更高的电压额定值。提供可接线键合的金端子和定制配置。
电阻值:所有型号从1K到高达100G(根据要求为1T)
公差:0.05%、0.1%、0.25%、0.5%、1%、2%、5%、10%、20%(0.05%适用于10G,0.25%适用于100G)
温度系数:5、10、15、25、50和100 ppm/°C(10G可用10 ppm/°C,100G可用25 ppm/°)
工作温度:-55…+200°C(可将温度范围扩展至350°C)
绝缘电阻:>10’000 M 500 V 25°C 75%相对湿度
介电强度:>1'000伏25°C 75%相对湿度
热冲击:R/R<0.1%典型值,max.0.50% MIL Std. 202,method 107 Cond. C IEC 68 - 2 -14
过载:R/R<0.1%典型值,0.50%max.1,5 x Pnom,5秒(不超过MAX电压)
防潮性:R/R<0.1%典型值,max.0.50%MIL标准202,方法106 IEC 68-2-3
负载寿命:R/R<0.1%典型值,额定功率下max.0.50%1000小时IEC 115-1
封装:丝网印刷硅胶
核心材料
Al2O3(96%)
焊盘材料:银(PdAg)/可粘结金/镀锡电阻材料氧化钌
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