LUMENTUM芯片PA009211

Lumentum APD 芯片是一种基于磷化铟 (InP) 的器件，设计用于高达 11.3 Gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点，通过中央有源区的顶部照明接收光信号。

P（阳极）和 N（阴极）触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 P 键合焊盘的直径为 70 微米，适用于引线键合。

APD 适用于以 M3 和 M10 之间的倍增增益因子以高达 11.3 Gbps 的速度运行。

性能通过包括 DC、CV 和 AC 测试测量的晶圆测试来检查。

<1FIT 的可靠性源自超过 400 亿个现场小时。

Telcordia ESD 等级：min. 500 V型号。

• 400 x 400 x 80 微米尺寸
• 顶部照明 30 μm 孔径
• 高带宽
• 响应能力好
• 2 pF 电容
• 顶部引线焊盘
• 针对环氧树脂附着进行了优化
• -40 至 +85°C 操作
• 高达3 Gbps 的性能
• 非常高的可靠性
• 大批量生产
• 强大的 ESD 性能

击穿电压（在黑暗中，Id=10 µA）Vbr：-26…-32 V

暗电流（在黑暗中，Vbr * 0.9） Id9：50 毫安

3dB 带宽，M=10（10 µW 入射 1550 nm，I=100 µA）BW_M10 ：6.0 GHz

3dB 带宽，M=3（10 µW 入射 1550 nm，I=30 µA）BW_M3：6.0 GHz

响应度 （10 µW，1550 nm）R：1.0 A/W

在固定电压下（（VM3 和 VM10，Popt = 10µW，λ=1550 nm）1610 nm 时的电流比

）R1610/R1550：0.75

1300 nm 与 1550 nm 的响应率比（在固定电压下（VM3 和 VM10，Popt =10 µW, λ=1550 nm) 时的电流比）R1300/R1550：0.70

Vbr 温度系数（-40 至 +85°C）dVbr/dT：0.040 …0.061 Vdeg^-1

总电容（At Vbr * 0.9）C：0.22…0.25 pF

光过载（M3）Povld：-2 dBm

长途网络

单模数据通信和电信

10G PON