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OPTOI光电晶体管阵列OIT15C-NR

OIT15C-NR 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极,该集电极连接到单个焊盘,每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm,LCC 封装电气间...

产品介绍

OIT15C-NR 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极,该集电极连接到单个焊盘,每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm,LCC 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2

该产品的优点是硅传感器的高度均匀性,由于单片结构和受控的微电子过程,信号的高稳定性和高光学响应性,由于沉积在光电晶体管区域上的抗反射涂层。

该设备采用薄塑料薄膜保护,可抵抗回流炉工艺。一旦将设备组装到电子板上,就须去除薄膜,用户可以安装光学标线片。尺寸减小,以优化成本和编码器空间。两个参考标记可用于准确的标线定位。

性能特点

  • 耐焊接工艺,MSL2
  • 硅电池的高均匀性
  • 更小的光学间距,更宽的有效区域
  • 高增益
  • 非常小的尺寸
  • 准确安装的参考点
  • 提供分划板组装服务

技术参数

工作温度范围:-40 100 °C

储存温度:-40 100 °C

引线温度(焊锡)3s:230 °C

集电极-发射极击穿电压@TA=25°C IB=100nA IC=1mA:50 V

功耗,TA=25°C 时:150 mW

静电放电敏感性:3级

暗电流 VR=10V:典型5nA,max.100 nA

响应度:0.5 A/W

峰值响应度 VCE=5V:750 nm

光谱带宽@50% VCE=5V:500…950 nm

发射极-集电极电流 VCE=7.7V:0.025…100 μA

集电极-发射极电流 VCE=52V:0.025…100 μA

增益 VCC=5V IC=2mA:典型500,min.1100,max.500

饱和电压 IE=2mA IB=20μA:80…200 mV

通态集电极电流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2:1 mA

上升时间VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

下降时间 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

光电晶体管有效面积:0.125 mm2

有效区域长度:0.25 mm

有效区域宽度:0.50 mm

产品尺寸

产品应用

光学编码器

增量编码器

光接收器

控制/驱动

光传感器


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