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ATN3580 系列衰减器芯片在高电阻率硅芯片上集成了薄膜电阻器,以实现衰减、紧密平坦度和高达 40 GHz 的回波损耗。该设计采用平衡 TEE 电阻结构,以确保宽带宽性能。与传统的厚膜印刷衰减器相比,薄膜技术提供了改进的功率处理能力。所有 ATN3580 衰减器芯片都指定了它们在 DC 下的衰减。此外,晶圆探针样品测试进行到 40 GHz,以确保满足平坦度规范。
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