CENTRALSEMI低 VCE（SAT）晶体管CMLT3410

这些 CENTRAL SEMICONDUCTOR 双器件是低 VCE(SAT) 硅晶体管，采用 SOT-563 表面贴装封装，专为需要低集电极发射极饱和电压的小信号通用放大器和开关应用而设计。

• 这些晶体管具有较低的集电极发射极饱和电压（VCE(SAT)），这意味着在饱和状态下，晶体管消耗的功率较小，有助于提高工作效率并减少热量产生。
• 采用SOT-563封装形式，这种小型化的封装使得晶体管非常适合用于表面贴装技术（SMT），有助于节省电路板空间，提高生产效率和自动化程度。
• 这些晶体管专为需要低VCE(SAT)的小信号通用放大器和开关应用而设计，能够在这些应用中提供稳定、可靠的放大和开关性能。

产地：美国

集电极基极电压：40V

集电极-发射极电压：25V

发射极基极电压：6.0 V

连续集电极电流：1.0 A

峰值集电极电流：1.5 A

功耗：350 mW

工作温度：-65至+150°C

存储接面温度：-65至+150°C

热阻：357°C/W

封装：SOT-563