CENTRALSEMI通孔MOSFETCDMSJ22010-650

CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMSJ22010-650 是一款高电流、650 伏 N-通道功率 MOSFET，设计用于功率因数校正 (PFC) 和电源充电器等高电压、快速开关应用。这款 MOSFET 集高电压能力、低 rDS（ON）、低阈值电压和低栅极电荷于一身。

MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管。

• 高电压能力（VDS=650V）
• 低栅极电荷（Qgs=4nC），意味着MOSFET的开关速度更快，能够减少开关过程中的能量损失。
• 低 rDS(ON) (0.39Ω)
• 低阈值电压使得MOSFET在较低的栅源电压下即可开始导通，有助于降低功耗并提高响应速度。

产地：美国

漏极-源极电压：650 V

栅极-源极电压：30 V

连续漏极电流：10 A

连续漏极电流（TC=100°C）：6.2 A

脉冲漏极电流：22 A

二极管正向电流：10 A

功率耗散：29.5 W

功率耗散（TC=100°C）：12 W

工作温度：-55 至 +150 °C

存储接面温度：-55 至 +150 °C

功率因数校正

电视电源

不间断电源

PD 充电器

适配器